EUV光刻为何采用多层反射镜：从材料吸收理解光路结构

提到光刻设备的光学系统，很容易先想到透镜。但把DUV系统中的透镜原样套到EUV系统上，就忽略了光与材料之间的关系。两类设备的光路差异，首先来自它们所使用的光怎样穿过或被材料吸收。

ASML的《Lenses & mirrors》原理页说明，DUV光刻系统用透镜聚焦光，而EUV系统采用反射镜。页面在“EUV needs mirrors”段直接解释，大多数材料会吸收EUV光，若使用透镜，光会在系统内被透镜吸收。[1] 因而原文描述的是材料吸收带来的光路选择，而不是把“镜子比透镜更先进”作为普遍规则。

反射镜也不是一块普通的光滑表面。原页描述EUV系统在真空腔内使用超光滑的多层反射镜，每块反射镜具有一百多层经过选择和工程设计的材料，用于尽量增强EUV光的反射。多层结构与表面光滑度都是这段原理说明的一部分，不能只摘取“反射”二字，便把生活中的镜面经验完整移到这种光学元件上。

从这个机制出发，同样叫光学系统，元件种类不同并不意味着任务名称也改变。页面开头强调，光刻机内是由多个元件组成的扩展光学系统，并非一片孤立的简单透镜。在所述DUV和EUV情境中，读者应分别识别透镜系统与反射镜系统，不能把整条光路的作用压缩成某一块元件的名称。

原页还将数值孔径NA解释为光学系统收集并聚焦光的能力所对应的量，并说明波长也是影响可打印特征尺寸的因素。由此可以理解，孤立比较NA大小不足以概括两类系统：讨论分辨能力时，波长这一背景仍在。本篇只采用这一文字关系，不引用页面的设备NA数值，也不据此计算工艺节点或某台机器的实际分辨率。

光学系统在工作中还会变化。ASML举出的原因是重复光脉冲使系统升温并产生变形；页面继而说明，元件中的执行机构会补偿这些热效应。这里说明复杂光学系统需要持续控制的原因，不是对某次曝光结果作保证，也不能仅凭原理页认定任何现场设备已经完成精度验收。

本次于2026年10月9日读取官方原理页，正文未见明确发布日期。本文采用材料吸收、多层反射和光学系统组成的连续文字，没有从未视觉核验的图像读取尺寸，也不转述页面对未来节点的预测。理解EUV为什么需要这种镜面结构，有助于读懂半导体制造设备资料；它本身不构成设备调节、工艺参数选择或采购判断。