EXE的4倍与8倍缩小，为何分别落在两个方向

光刻资料说图形被缩小，仍需继续问：两个方向是否按同一比例变化？ASML于2024年1月25日发表的High NA EUV介绍，在第一项光学结构说明中给出了一个特定例子。其EXE系统没有在两个方向统一缩小，而是采用一个方向4倍、另一个方向8倍的安排。

原文先说明问题从何而来。提高数值孔径的光学设计需要更大的反射镜；更大的镜面又增加光到达reticle，也就是载有待印图形的掩模时的角度。在所述较大角度下，掩模失去反射能力，图形不能按该光路传至晶圆。因而，这段文字讨论的是镜面规模、入射角与反射之间的联系，不只是把更大的光学元件当作尺寸升级。

文章提出过一个可能方向：把原先4倍的缩小改为8倍，可以处理该问题，但会要求芯片制造商改用更大的掩模。EXE采用的办法则是anamorphic optics，让两个方向分别缩小4倍和8倍。ASML将这一安排与降低光到掩模的角度、避免反射问题联系起来，同时说明它使传统尺寸的掩模得以继续使用。这里有两个关联目标，不能只摘取一个更大的缩小数字。

按原文整理光学摘要时，4与8需要分别附着在两个方向上。将其改写成“统一缩小8倍”，会消除这项设计的方向差异；只写“更强的缩小”，又省略了为何要保留两个比例。本文没有依据示意图确定哪个物理轴对应4倍或8倍，也没有计算曝光面积、分辨率或具体工艺节点。能够确认的是文章明确描述的两个方向不同，而非自行补出的坐标关系。

本篇仅采用2024年文章第一项及必要邻接，其余关于产能、设备加速度与未来投产时间的内容不作为当前事实。对半导体设备资料读者，这一例子帮助解释同叫缩小成像的光学结构，仍可能在两个方向采用不同安排；它不提供镜面调整、掩模修改、激光或真空操作，也不能替某台设备证明良率或验收结果。