从多层到一张复合膜：ASML的EUV pellicle回顾怎样保留功能分工
ASML的2022年回顾把早期薄膜研究、工程部门参与和客户支持分别叙述。第一代pellicle按核心层、cap与barrier分担功能，后来则探索把这些功能合到一个复合膜中，研发经过也保留了未如预期的节点。
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光刻光源怎样发光：汞灯、准分子激光与锡等离子体的不同对象
ASML的光源说明从发光机制区分三类路径：汞灯多波长后选择、临时激发分子释放光，以及锡形成等离子体发出EUV，不只是给同一种灯改波长。
ASML怎样从散射信息认识晶圆图形：计量目标与电子束表面图像
光学计量把重复图形的散射与预测联系起来，电子束检查则利用表面产生的二次电子构成图像。ASML的公开说明交代了两条信息形成路径，而非给出通用设备优选结论。
ALE的两个环节，怎样共同决定刻蚀有没有方向性
Lam Research 的2016年说明把表面改性与材料移除分开，再解释两者的方向条件。任一环节定向，整体便不能被概括为各方向相同。
EXE的4倍与8倍缩小，为何分别落在两个方向
ASML在2024年文章中说明，EXE采用anamorphic optics，在两个方向使用不同缩小比例，以处理掩模反射角问题并保留传统尺寸掩模。
钨填充的开口闭合，为什么不等于内部已经填满
Lam Research的ALTUS页面用常规CVD钨填充说明：特征开口可能先于内部完整填充而闭合。本文只解释这一几何关系。
光刻掩模为什么要先“变形”，才能得到目标图形
计算光刻利用经过校准的制造过程模型，对掩模图形进行补偿。掩模上的形状与晶圆上的目标图形，因此不必是直接相同的轮廓。
EUV光刻为何采用多层反射镜：从材料吸收理解光路结构
ASML原理页把EUV光的材料吸收与反射光路联系起来。多层镜面承担光学作用，不能把它理解为把DUV透镜简单换成普通镜子。
TWINSCAN的双工作台，为什么不能读成两片同时曝光
ASML原理页描述一片晶圆曝光时另一片接受位置测量。双工作台的数量与各自承担的环节需要一起理解，不能由此推算产线翻倍。
读NXE:3400B产能资料，数字旁边的条件为什么不能删
ASML将NXE:3400B的晶圆吞吐目标与晶圆尺寸、曝光剂量、die size和shots同时列出。设备资料比较时，应把这些条件随指标一起保留。